Categorii
N-MOSFET SiC Tranzistor 1.7kV 43A 438W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET SiC Tranzistor 1.7kV 43A 438W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET SiC Tranzistor 1.7kV 43A 438W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET SiC Tranzistor 1.7kV 43A 438W

G3R45MT17K
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,7kV; 43A; Idm: 160A; 438W
238,50 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

69.77 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,7kV 43A Idm: 160A 438W, G3R45MT17K de la GeneSiC SEMICONDUCTOR este un produs de înaltă calitate, conceput pentru a satisface nevoile tale de electronică. Acest tranzistor impresionant se remarcă prin caracteristici tehnice superioare, cum ar fi tehnologia SiC, carcasa TO247-4 și terminalul Kelvin pentru o performanță optimă.

Cu o putere disipată de 438W, acest tranzistor poate face față sarcinilor intense, iar curentul de drenă în impuls de 160A îl face ideal pentru aplicații care necesită o funcționare fiabilă și constantă. Polarizarea unipolară și subtipul canal îmbogățit îl fac potrivit pentru o varietate de proiecte electronice.

Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 45mΩ, acest tranzistor asigură o eficiență ridicată și o dispersie redusă a căldurii. Tensiunea drenă-sursă de 1.7kV și tensiunea poartă-sursă cuprinsă între -5 și 15V îl fac versatil și potrivit pentru diferite aplicații.

Încărcătura poartă de 182nC și tipul N-MOSFET completează lista de caracteristici impresionante ale acestui tranzistor de la GeneSiC SEMICONDUCTOR. Cu montare THT și subtip de ambalaj în tub, acesta este ușor de integrat în proiectele tale electronice. Alege performanța și fiabilitatea cu Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,7kV 43A Idm: 160A 438W, G3R45MT17K de la GeneSiC SEMICONDUCTOR!
Detalii ale produsului
312 Produse

Fisa tehnica

Referință G3R45MT17K
Producător GeneSiC SEMICONDUCTOR
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 438W
Montare THT
Carcasă TO247-4
Caracteristici elemente semiconductoare terminal Kelvin
Curent de drenă în impuls 160A
Polarizare unipolar
Curent drenă 43A
Tensiune drenă-sursă 1,7kV
1.7kV
Tensiune poartă-sursă -5...15V
Rezistenţă în timpul funcţionării 45mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 182nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie G3R™
SiC
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
77 produse asociate: