Categorii
Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 33A 250W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 33A 250W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 33A 250W

B2M065120Z
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
90,05 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET SiC 1,2kV 33A 250W de la BASiC SEMICONDUCTOR reprezintă soluția ideală pentru aplicații industriale și de înaltă performanță, oferind eficiență și fiabilitate în condiții exigente. Construit pe baza tehnologiei avansate SiC (carbid de siliciu), acest tranzistor asigură o disipare de putere de până la 250W, făcându-l potrivit pentru sisteme de alimentare, convertizoare și aplicații de control al motorului.

Cu o tensiune drenă-sursă de 1,2kV și un curent de drenă de 33A, acest dispozitiv oferă performanțe superioare, fiind capabil să suporte impulsuri de curent de până la 85A. Montarea THT (through-hole technology) în carcasă TO247-4 facilitează integrarea în diverse proiecte electronice, iar subtipul ambalajului în tub asigură o manipulare ușoară.

Rezistența redusă în timpul funcționării de 65mΩ și polarizarea unipolară contribuie la eficiența energetică, în timp ce caracteristicile semiconductorilor cu terminal Kelvin permit o măsurare precisă a curentului. Tensiunea poartă-sursă variabilă de -4...18V și încărcătura poartă de 60nC asigură un control optim al comutării.

Alegeți Tranzistorul N-MOSFET SiC 1,2kV 33A 250W de la BASiC SEMICONDUCTOR pentru a beneficia de tehnologie de vârf, fiabilitate și performanță excepțională în aplicațiile dumneavoastră.
Detalii ale produsului
26 Produse

Fisa tehnica

Referință B2M065120Z
Producător BASiC SEMICONDUCTOR
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 250W
Montare THT
Carcasă TO247-4
Caracteristici elemente semiconductoare terminal Kelvin
Curent de drenă în impuls 85A
Polarizare unipolar
Curent drenă 33A
Tensiune drenă-sursă 1,2kV
Tensiune poartă-sursă -4...18V
Rezistenţă în timpul funcţionării 65mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 60nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie SiC
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
77 produse asociate: