Categorii
  • Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET 600V 90A 1100W TO264 IXFK90N60X | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 600V 90A 1100W TO264 IXFK90N60X | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 600V 90A 1100W TO264 IXFK90N60X | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 600V 90A 1100W TO264 IXFK90N60X

IXFK90N60X
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 90A; 1100W; TO264; 210ns
180,70 lei
Stoc epuizat

Credit module tbi bank 3.4.2

55.29 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul IXYS N-MOSFET unipolar 600V 90A 1100W TO264 210ns, IXFK90N60X este un produs de înaltă calitate, cu caracteristici remarcabile. Producătorul acestui tranzistor este IXYS, iar montarea se face prin tehnologia THT. Carcasa TO264 asigură o disipare eficientă a căldurii, iar subtipul de ambalaj în tub oferă protecție suplimentară.

Elementele semiconductoare ultra junction x-class garantează performanțe excelente, iar puterea disipată de 1.1kW face acest tranzistor potrivit pentru aplicații de putere mare. Polarizarea unipolară oferă o funcționare fiabilă și eficientă.

Cu un curent de drenaj de 90A și o tensiune drenaj-sursă de 600V, acest tranzistor poate gestiona sarcini semnificative. Rezistența în timpul funcționării de 38mΩ minimizează pierderile de putere, iar subtipul de canal îmbogățit optimizează performanța.

Încărcătura la poartă de 0.21µC și timpul de restabilire de 210ns fac acest tranzistor ideal pentru aplicații rapide și sensibile la timp. Cu specificații precise și fiabilitate ridicată, tranzistorul IXYS N-MOSFET este alegerea perfectă pentru proiectele dumneavoastră de electronică de putere.
Detalii ale produsului

Fisa tehnica

Referință IXFK90N60X
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 1,1kW
1.1kW
Montare THT
Carcasă TO264
Caracteristici elemente semiconductoare ultra junction x-class
Polarizare unipolar
Curent drenă 90A
Tensiune drenă-sursă 600V
Rezistenţă în timpul funcţionării 38mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 0,21µC
0.21µC
Tip tranzistor N-MOSFET
Timp de restabilire 210ns
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: