Categorii
Etichete
N-MOSFET Tranzistor 75V 120A 300W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 75V 120A 300W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 75V 120A 300W TO220AB

IRFB3207ZPBF
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
26,74 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 75V 120A 300W TO220AB de la INFINEON TECHNOLOGIES este un produs cu performanțe remarcabile, perfect pentru aplicațiile tale electronice. Acest tranzistor se remarcă prin puterea sa disipată de 300W, curentul de drenă de 120A și tensiunea drenă-sursă de 75V, oferind o soluție fiabilă și eficientă.

Cu o polarizare unipolară și o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor este ideal pentru diverse aplicații. Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 4,1mΩ, acesta asigură o funcționare eficientă și fiabilă. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă este de 0,12µC, oferind performanțe superioare.

Acest tranzistor N-MOSFET este disponibil în ambalaj de tip tub, montare THT și carcasă TO220AB, asigurând o integrare ușoară în proiectele tale. Tehnologia HEXFET® garantează calitate și fiabilitate superioare, iar faptul că este produs de INFINEON TECHNOLOGIES îi conferă un plus de încredere și profesionalism. Optează pentru acest tranzistor pentru performanțe de top în proiectele tale electronice!
Detalii ale produsului
51 Produse

Fisa tehnica

Referință IRFB3207ZPBF
Producător INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 300W
Montare THT
Carcasă TO220AB
Polarizare unipolar
Curent drenă 120A
Tensiune drenă-sursă 75V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 4,1mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 0,12µC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Fisiere asociate
Descarcari
Documentatie PDF

Descarcari (431.72KB)
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
340 produse asociate: