Tranzistorul N-MOSFET INFINEON TECHNOLOGIES, model StrongIRFET™ 2, este proiectat pentru aplicații industriale și de putere, oferind performanțe superioare și fiabilitate ridicată. Cu o tensiune drenă-sursă de 80V și un curent continuu de drenă de 147A, acest dispozitiv asigură gestionarea eficientă a sarcinilor mari, susținut de o putere disipată de 250W. Carcasa robustă PG-TO220-3 în ambalaj tub (THT) facilitează montarea și disiparea termică optimă. Curentul de drenă în impuls de până la 764A permite utilizarea în condiții dinamice exigente, iar rezistența redusă în timpul funcționării, de doar 1,9mΩ, minimizează pierderile de energie și încălzirea. Tehnologia StrongIRFET™ 2 și canalul îmbogățit unipolar asigură o comutare rapidă și eficientă, în timp ce tensiunea poartă-sursă ±20V și încărcătura poartă de 124nC permit un control precis și stabil al funcționării. Ideal pentru circuite de putere, convertoare, surse de alimentare și aplicații de motoare, acest tranzistor N-MOSFET este soluția optimă pentru proiecte ce necesită performanță, durabilitate și eficiență energetică.