Categorii
N-MOSFET unipolar 600V 48A 255W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET unipolar 600V 48A 255W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET unipolar 600V 48A 255W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET unipolar 600V 48A 255W

IPW60R037P7XKSA1
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 255W; PG-TO247-3
68,34 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 600V 48A 255W PG-TO247-3, IPW60R037P7XKSA1 de la INFINEON TECHNOLOGIES este un produs de înaltă calitate, ideal pentru aplicații electronice exigente. Montarea sa THT și carcasă PG-TO247-3 asigură o instalare ușoară și durabilitate pe termen lung. Tehnologia CoolMOS™ P7 oferă performanțe superioare și eficiență energetică sporită.

Cu caracteristici precum gate-ul protejat împotriva electrostatică, puterea disipată de 255W și polarizarea unipolară, acest tranzistor este proiectat pentru a face față cerințelor ridicate ale aplicațiilor moderne. Curentul de drenaj de 48A și tensiunea de 600V drenaj-sursă asigură funcționarea stabilă și fiabilă a dispozitivului în diverse condiții de operare.

Cu o rezistență de 37mΩ în timpul funcționării, acest tranzistor oferă performanțe excelente și eficiență termică optimă. Subtipul canal îmbogățit și încărcătura portei de 121nC fac din acest dispozitiv o alegere ideală pentru aplicații de putere și control. Tipul de tranzistor N-MOSFET îl face potrivit pentru o gamă largă de aplicații electronice.

În concluzie, Tranzistorul N-MOSFET unipolar 600V 48A 255W PG-TO247-3, IPW60R037P7XKSA1 de la INFINEON TECHNOLOGIES este soluția perfectă pentru proiectele electronice care necesită performanțe de vârf și fiabilitate pe termen lung. Alegeți calitatea și eficiența cu acest tranzistor de încredere!
Detalii ale produsului
39 Produse

Fisa tehnica

Referință IPW60R037P7
Producător INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 255W
Montare THT
Carcasă PG-TO247-3
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Polarizare unipolar
Curent drenă 48A
Tensiune drenă-sursă 600V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 37mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 121nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie CoolMOS™ P7
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: