Categorii
Tranzistor N-MOSFET 200V 75A 830W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 200V 75A 830W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 200V 75A 830W

IXTQ130N20T
Tranzistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 200V; 75A; Idm: 320A; 830W
82,61 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul IXYS N-MOSFET Trench™ unipolar 200V 75A Idm: 320A 830W este un dispozitiv de putere de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface cerințele aplicațiilor cu consum ridicat de energie. Acest tranzistor se remarcă prin caracteristicile sale tehnice deosebite, precum carcasa TO3P durabilă și montarea pe componentă THT pentru o integrare simplă în circuitele existente. Cu o putere disipată de 830W și o rezistență în timpul funcționării de 16mΩ, acest tranzistor oferă o eficiență excelentă și o performanță fiabilă pe termen lung.

Caracteristicile elementelor semiconductoare de tip thrench gate power mosfet și subtipul canal îmbogățit asigură o funcționare optimă în aplicațiile cu cerințe ridicate de curent și tensiune. Tensiunea drenă-sursă de 200V și tensiunea poartă-sursă de ±20V permit o polarizare precisă și o protecție împotriva supratensiunilor. Cu un curent de drenă de 75A și un curent de drenă în impuls de 320A, acest tranzistor este potrivit pentru aplicații industriale și comerciale care necesită o gestionare eficientă a puterii.

Timpul de restabilire rapid de 150ns și încărcătura poartă de 150nC fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru aplicații sensibile la timp și la semnal, în timp ce tehnologia Trench™ inovatoare asigură o performanță superioară și o durată lungă de viață a dispozitivului. Cu o gamă largă de caracteristici și specificații avansate, tranzistorul IXYS N-MOSFET Trench™ este alegerea perfectă pentru proiectele de inginerie electronică care necesită fiabilitate și eficiență.
Detalii ale produsului
10 Produse

Fisa tehnica

Referință IXTQ130N20T
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 830W
Montare THT
Carcasă TO3P
Caracteristici elemente semiconductoare thrench gate power mosfet
Curent de drenă în impuls 320A
Polarizare unipolar
Curent drenă 75A
Tensiune drenă-sursă 200V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 16mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 150nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Timp de restabilire 150ns
Tehnologie Trench™
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
65 produse asociate: