Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 800V 8A Idm: 50,4A 300W TO3PN de la ONSEMI este un dispozitiv puternic și fiabil, ideal pentru aplicații industriale și comerciale. Acest tranzistor se remarcă prin caracteristici de top, cum ar fi puterea disipată de 300W, curentul de drenă în impuls de 50,4A și tensiunea drenă-sursă de 800V. Montarea sa se face prin tehnologia THT, iar carcasă TO3PN oferă o protecție adecvată.
Cu o rezistență în timpul funcționării de 0,75Ω, acest tranzistor asigură o performanță optimă și fiabilitate pe termen lung. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura portii de 88nC îl face potrivit pentru aplicații sensibile la semnale. Polarizarea unipolară și tensiunea poartă-sursă de ±30V completează setul de caracteristici impresionante ale acestui tranzistor.
Cu ONSEMI ca producător de încredere, puteți avea încredere în calitatea și performanța acestui tranzistor N-MOSFET. Indiferent de aplicația dvs., acest dispozitiv va livra rezultate excelente și va asigura o funcționare fără probleme. Alegeți Tranzistorul N-MOSFET unipolar 800V 8A Idm: 50,4A 300W TO3PN pentru proiectele dvs. electronice și obțineți performanță superioară și fiabilitate de la unul dintre cei mai buni producători din industrie.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
FQA13N80-F109 |
Producător |
ONSEMI |
Subtip ambalaj |
tub |
Putere disipată |
300W |
Montare |
THT |
Carcasă |
TO3PN |
Curent de drenă în impuls |
50,4A |
Polarizare |
unipolar |
Curent drenă |
8A |
Tensiune drenă-sursă |
800V |
Tensiune poartă-sursă |
±30V |
Rezistenţă în timpul funcţionării |
0,75Ω |
Subtip canal |
îmbogăţit |
Încărcătură poartă |
88nC |
Tip tranzistor |
N-MOSFET |