Categorii
N-MOSFET SiC 1.2kV 60A 330W TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET SiC 1.2kV 60A 330W TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET SiC 1.2kV 60A 330W TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET SiC 1.2kV 60A 330W TO247-3

C2M0040120D
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 60A; 330W; TO247-3; 54ns
361,72 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

100.64 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 60A 330W TO247-3 54ns, C2M0040120D de la Wolfspeed (CREE) este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru performanțe excelente în aplicațiile dumneavoastră electronice. Acest tranzistor este montat cu tehnologia Z-FET™ și are o putere disipată impresionantă de 330W, ceea ce îl face potrivit pentru sarcini de lucru intensive.

Cu o polarizare unipolară și un curent de drenaj de 60A, acest tranzistor oferă o fiabilitate remarcabilă în funcționare. Tensiunea drenaj-sursă de 1.2kV și tensiunea poartă-sursă de -10...25V asigură o performanță stabilă și eficientă în diverse aplicații.

Cu o rezistență în timpul funcționării de 40mΩ și un timp de restabilire rapid de 54ns, acest tranzistor este ideal pentru aplicațiile care necesită o comutare rapidă și precisă. Subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 115nC completează caracteristicile impresionante ale acestui tranzistor N-MOSFET de la Wolfspeed (CREE).

Indiferent de aplicația dumneavoastră, acest tranzistor este alegerea perfectă pentru performanțe superioare și fiabilitate de încredere. Optați pentru calitate și eficiență cu tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 60A 330W TO247-3 54ns, C2M0040120D de la Wolfspeed (CREE)!
Detalii ale produsului
30 Produse

Fisa tehnica

Referință C2M0040120D
Producător Wolfspeed(CREE)
Putere disipată 330W
Montare THT
Carcasă TO247-3
Polarizare unipolar
Curent drenă 60A
Tensiune drenă-sursă 1,2kV
1.2kV
Tensiune poartă-sursă -10...25V
Rezistenţă în timpul funcţionării 40mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 115nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Timp de restabilire 54ns
Tehnologie SiC
Z-FET™
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
77 produse asociate: