Tranzistorul N-MOSFET Hi-PotMOS2 unipolar 500V 6A Idm: 24A de la SHINDENGEN este un produs de înaltă calitate, cu o gamă largă de caracteristici impresionante. Producătorul acestui tranzistor este SHINDENGEN, iar este ambalat în vrac pentru montare pe placa de circuit cu tehnologia THT. Carcasa acestuia este de tip FTO-220AG (SC91), oferind o putere disipată de 62,5W.
Cu un curent de drenaj în impuls de 24A și un curent de drenaj stabil de 6A, acest tranzistor este ideal pentru aplicații care necesită performanțe ridicate. Tensiunea drenaj-sursă de 500V și tensiunea poartă-sursă de ±30V asigură o funcționare stabilă și fiabilă.
Cu o rezistență în timpul funcționării de 1,35Ω, acest tranzistor N-MOSFET Hi-PotMOS2 este ideal pentru aplicații care necesită o conducere eficientă a curentului. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă este de 15nC, oferind performanțe excelente în diverse aplicații.
În concluzie, tranzistorul N-MOSFET Hi-PotMOS2 unipolar 500V 6A Idm: 24A de la SHINDENGEN este alegerea perfectă pentru cei care caută un produs fiabil, performant și eficient pentru proiectele lor electronice.
Detalii ale produsului
160 Produse
Fisa tehnica
Referință
P6F50HP2-5600
Producător
SHINDENGEN
Subtip ambalaj
în vrac
Putere disipată
62,5W
Montare
THT
Carcasă
FTO-220AG (SC91)
Curent de drenă în impuls
24A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
6A
Tensiune drenă-sursă
500V
Tensiune poartă-sursă
±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării
1,35Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
15nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
Hi-PotMOS2
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.