Tranzistorul N-MOSFET Hi-PotMOS2 unipolar 600V 30A Idm: 120A de la SHINDENGEN este un produs de înaltă calitate, cu caracteristici tehnice remarcabile. Acest tranzistor este ambalat într-un tub și poate fi montat prin intermediul tehnologiei THT. Carcasa MTO3PV (TO247AD) oferă o putere disipată impresionantă de 310W, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații exigente.
Cu un curent de drenă în impuls de 120A și o polarizare unipolară, acest tranzistor poate gestiona un curent de drenă de 30A și o tensiune drenă-sursă de 600V. Tensiunea poartă-sursă este de ±30V, iar rezistența în timpul funcționării este de 0,23Ω. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă este de 70nC.
Tranzistorul N-MOSFET Hi-PotMOS2 este un produs fiabil, potrivit pentru diverse aplicații din domeniul electronicelor. Tehnologia avansată Hi-PotMOS2 asigură performanțe excelente și durabilitate pe termen lung. Cu aceste caracteristici impresionante, acest tranzistor este alegerea perfectă pentru proiectele tale electronice.