Categorii
N-MOSFET 600V 30A Tranzistor Unipolar | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET 600V 30A Tranzistor Unipolar | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET 600V 30A Tranzistor Unipolar

P30W60HP2V-5100
Tranzistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 30A; Idm: 120A
67,16 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET Hi-PotMOS2 unipolar 600V 30A Idm: 120A de la SHINDENGEN este un produs de înaltă calitate, cu caracteristici tehnice remarcabile. Acest tranzistor este ambalat într-un tub și poate fi montat prin intermediul tehnologiei THT. Carcasa MTO3PV (TO247AD) oferă o putere disipată impresionantă de 310W, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații exigente.

Cu un curent de drenă în impuls de 120A și o polarizare unipolară, acest tranzistor poate gestiona un curent de drenă de 30A și o tensiune drenă-sursă de 600V. Tensiunea poartă-sursă este de ±30V, iar rezistența în timpul funcționării este de 0,23Ω. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă este de 70nC.

Tranzistorul N-MOSFET Hi-PotMOS2 este un produs fiabil, potrivit pentru diverse aplicații din domeniul electronicelor. Tehnologia avansată Hi-PotMOS2 asigură performanțe excelente și durabilitate pe termen lung. Cu aceste caracteristici impresionante, acest tranzistor este alegerea perfectă pentru proiectele tale electronice.
Detalii ale produsului
27 Produse

Fisa tehnica

Referință P30W60HP2V-5100
Producător SHINDENGEN
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 310W
Montare THT
Carcasă MTO3PV (TO247AD)
Curent de drenă în impuls 120A
Polarizare unipolar
Curent drenă 30A
Tensiune drenă-sursă 600V
Tensiune poartă-sursă ±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,23Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 70nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie Hi-PotMOS2
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: