Tranzistorul N-MOSFET unipolar 800V 1A Idm: 2,6A 13W IPAK, produs de INFINEON TECHNOLOGIES, este o alegere excelentă pentru aplicațiile dvs. electronice. Cu o putere disipată de 13W și caracteristici elemente semiconductoare protejate împotriva descărcărilor electrostatice (ESD), acest tranzistor oferă performanțe fiabile și durabile.
Cu un curent de drenă în impuls de 2,6A și o polarizare unipolară, acest tranzistor poate gestiona cu succes cerințele de curent ale dispozitivelor dvs. electronice. Cu un curent nominal de drenă de 1A și o tensiune drenă-sursă de 800V, acest tranzistor asigură o funcționare eficientă și sigură.
Tensiunea poartă-sursă de ±20V și rezistența în timpul funcționării de 4,5Ω fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru aplicațiile care necesită o gestionare precisă a tensiunii și a curentului. Subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 4nC completează performanțele excelente ale acestui tranzistor.
Cu un design IPAK și tehnologia CoolMOS™ P7, acest tranzistor oferă nu doar performanțe ridicate, ci și o durabilitate sporită în timp. Alegeți Tranzistorul N-MOSFET unipolar 800V 1A Idm: 2,6A 13W IPAK pentru aplicațiile dvs. electronice cu încredere și obțineți rezultate excelente.