Tranzistorul N-MOSFET Hi-PotMOS2 unipolar 500V 10A Idm: 40A 79W de la SHINDENGEN este un produs de înaltă calitate, perfect pentru aplicațiile dumneavoastră electronice. Acest tranzistor este echipat cu o carcasă FTO-220AG (SC91) și poate disipa o putere de până la 79W. Cu un curent de drenă în impuls de 40A și un curent de drenă de 10A, acest tranzistor oferă performanțe excelente.
Tensiunea drenă-sursă de 500V și tensiunea poartă-sursă de ±30V fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru aplicațiile care necesită o tensiune ridicată. Rezistența în timpul funcționării de 0,75Ω asigură o eficiență ridicată a dispozitivului.
Cu un subtip de canal îmbogățit și o încărcătură de poartă de 20nC, acest tranzistor N-MOSFET este proiectat pentru performanțe superioare. Tehnologia Hi-PotMOS2 asigură fiabilitate și durabilitate pe termen lung.
Indiferent de aplicația dumneavoastră, Tranzistorul N-MOSFET Hi-PotMOS2 de la SHINDENGEN este alegerea perfectă pentru proiectele dumneavoastră electronice. Alegeți calitatea și performanța cu acest tranzistor de înaltă calitate.