Categorii
Etichete
Tranzistor N-MOSFET 900V 8A 50W TO220FP | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 900V 8A 50W TO220FP | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 900V 8A 50W TO220FP

2SK3799(Q,M)
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 8A; 50W; TO220FP
25,28 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 900V 8A 50W TO220FP de la TOSHIBA este un produs de înaltă calitate, cu o serie de caracteristici remarcabile. Acest tranzistor beneficiază de o putere disipată de 50W, fiind ideal pentru aplicații care necesită o disipare eficientă a căldurii. Cu o polarizare unipolară și o tensiune drenă-sursă de 900V, acest tranzistor oferă performanțe excelente în aplicații cu cerințe ridicate de tensiune.

Carcasa TO220FP și montarea THT fac din acest tranzistor o alegere practică și ușor de integrat în diverse aplicații. Elementele semiconductoare sunt protejate împotriva descărcărilor electrostatice (ESD protected gate), asigurând o durată lungă de viață și fiabilitate în funcționare. Cu o rezistență de doar 1Ω în timpul funcționării, acest tranzistor oferă performanțe superioare și o eficiență maximă.

Subtipul canal îmbogățit și tipul N-MOSFET fac din acest tranzistor o alegere excelentă pentru aplicații care necesită o comutare rapidă și eficientă a curentului. Cu o încărcătură a porții de 60nC și o tensiune poartă-sursă de ±30V, acest tranzistor oferă flexibilitate și fiabilitate în funcționare.

În concluzie, tranzistorul N-MOSFET unipolar 900V 8A 50W TO220FP de la TOSHIBA este alegerea perfectă pentru aplicații care necesită performanțe ridicate, fiabilitate și eficiență energetică. Alegeți calitatea și performanța cu acest tranzistor de încredere de la TOSHIBA.
Detalii ale produsului
128 Produse

Fisa tehnica

Referință 2SK3799
Producător TOSHIBA
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 50W
Montare THT
Carcasă TO220FP
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Polarizare unipolar
Curent drenă 8A
Tensiune drenă-sursă 900V
Tensiune poartă-sursă ±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării 1Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 60nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Fisiere asociate
Descarcari
Documentatie PDF

Descarcari (191.73KB)
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
340 produse asociate: