Categorii
Etichete
Tranzistor N-MOSFET 40V 317A TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 40V 317A TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 40V 317A TO220AB

IRFB7434PBF
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 317A; 294W; TO220AB
26,23 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la INFINEON TECHNOLOGIES este un component electronic puternic, conceput pentru a oferi performanțe superioare în diverse aplicații. Cu o putere disipată impresionantă de 294W și o curent de drenaj de 317A, acest tranzistor se remarcă prin rezistența sa redusă în timpul funcționării de doar 1,6mΩ. Carcasa TO220AB asigură o montare simplă și eficientă, iar polarizarea unipolară și subtipul canal îmbogățit îl fac potrivit pentru o gamă variată de utilizări.

Denumirea comercială StrongIRFET reflectă fiabilitatea și performanța acestui tranzistor, iar tensiunea drenaj-sursă de 40V și tensiunea poartă-sursă de ±20V îl fac ideal pentru aplicații sensibile la tensiune. Subtipul ambalajului în tub și tehnologia HEXFET® aduc un plus de versatilitate și durabilitate acestui produs. Cu o încărcătură poartă de 216nC, acest tranzistor N-MOSFET este alegerea perfectă pentru cei care caută un component de înaltă performanță pentru proiectele lor electronice.
Detalii ale produsului
38 Produse

Fisa tehnica

Referință IRFB7434PBF
Producător INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 294W
Montare THT
Carcasă TO220AB
Denumire comercială StrongIRFET
Polarizare unipolar
Curent drenă 317A
Tensiune drenă-sursă 40V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 1,6mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 216nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Fisiere asociate
Descarcari
Documentatie PDF

Descarcari (256.82KB)
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
340 produse asociate: