Categorii
N-MOSFET Tranzistor 120V 40A 51W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 120V 40A 51W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 120V 40A 51W

P40F12SN-5600
Tranzistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 51W
11,16 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET EETMOS3 unipolar de la SHINDENGEN este un produs de înaltă calitate, cu o putere disipată de 51W și un curent de drenă în impuls de 160A, asigurând performanțe excelente în aplicațiile dumneavoastră. Cu o carcasă FTO-220AG (SC91) și o tensiune drenă-sursă de 120V, acest tranzistor este potrivit pentru o gamă variată de proiecte electronice.

Beneficiind de o rezistență în timpul funcționării de 11,9mΩ, acest tranzistor N-MOSFET are un curent de drenă de 40A și o tensiune poartă-sursă de ±20V, oferind fiabilitate și performanță superioară. Cu un subtip de canal îmbogățit și o încărcătură de poartă de 117nC, acest produs este ideal pentru aplicații care necesită o comutare rapidă și eficientă.

Tehnologia EETMOS3 și designul unic al acestui tranzistor îl fac o alegere excelentă pentru proiectele dumneavoastră electronice. Cu o polarizare unipolară și un subtip de ambalaj în vrac, acest tranzistor este ușor de montat și integrat în diverse aplicații. Alegeți tranzistorul N-MOSFET de la SHINDENGEN pentru performanță de top și fiabilitate pe termen lung.
Detalii ale produsului
84 Produse

Fisa tehnica

Referință P40F12SN-5600
Producător SHINDENGEN
Subtip ambalaj în vrac
Putere disipată 51W
Montare THT
Carcasă FTO-220AG (SC91)
Curent de drenă în impuls 160A
Polarizare unipolar
Curent drenă 40A
Tensiune drenă-sursă 120V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 11,9mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 117nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie EETMOS3
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: