Categorii
N-MOSFET 650V 20A 320W TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET 650V 20A 320W TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET 650V 20A 320W TO247-3

IXTH20N65X
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO247-3; 350ns
71,51 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul IXYS N-MOSFET unipolar de 650V 20A 320W TO247-3 350ns este un produs de înaltă calitate, conceput pentru a oferi performanțe excelente în aplicațiile dumneavoastră electrice. Acest tranzistor este fabricat de IXYS, un producător de renume în industria electronică.

Cu un subtip de ambalaj tub și montare THT, acest tranzistor este ușor de integrat în diferite tipuri de circuite. Carcasa TO247-3 oferă o protecție suplimentară și o disipare eficientă a căldurii, permitându-vă să lucrați în condiții de siguranță și fiabilitate pe termen lung.

Cu o putere disipată de 320W și caracteristici de elemente semiconductoare de clasă X ultra junction, acest tranzistor poate gestiona sarcini de lucru intense fără probleme. Polarizarea unipolară și curentul de drenaj de 20A asigură o funcționare stabilă și eficientă.

Tensiunea drenaj-sursă de 650V și rezistența în timpul funcționării de 0,21Ω fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru aplicațiile care necesită o putere mare și o fiabilitate sporită. Subtipul canalului îmbogățit și încărcătura porții de 35nC completează caracteristicile de performanță ale acestui tranzistor.

Cu un timp de restabilire rapid de 0,35µs, acest tranzistor este perfect pentru aplicațiile care necesită comutări rapide și eficiente. Alegeți tranzistorul IXYS N-MOSFET pentru performanțe de top și fiabilitate în proiectele dumneavoastră electronice.
Detalii ale produsului
254 Produse

Fisa tehnica

Referință IXTH20N65X
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 320W
Montare THT
Carcasă TO247-3
Caracteristici elemente semiconductoare ultra junction x-class
Polarizare unipolar
Curent drenă 20A
Tensiune drenă-sursă 650V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,21Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 35nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Timp de restabilire 0,35µs
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
77 produse asociate: