Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 650V 2A Idm: 9,6A 38W TO251 de la INFINEON TECHNOLOGIES este un dispozitiv electronic extrem de performant, ideal pentru aplicații care necesită o putere mare și o fiabilitate ridicată. Acest tranzistor impresionează prin caracteristicile sale deosebite, cum ar fi carcasa TO251, care asigură o montare ușoară și sigură.
Cu o putere disipată de 38W, acest tranzistor poate gestiona cu succes sarcini de mare intensitate. Curentul de drenă în impuls de 9,6A și curentul de drenă de 2A fac din acest dispozitiv o alegere excelentă pentru aplicațiile care necesită o funcționare eficientă și fiabilă. Tensiunea drenă-sursă de 650V și tensiunea poartă-sursă de ±20V asigură o performanță stabilă și constantă.
Cu o rezistență în timpul funcționării de 1,4Ω și un subtip de canal îmbogățit, acest tranzistor oferă o funcționare eficientă și de lungă durată. Încărcătura poartă de 2nC și tehnologia CoolMOS™ completează caracteristicile de top ale acestui produs inovator. Pentru o calitate superioară și performanțe exceptionale, alegeți Tranzistorul N-MOSFET unipolar 650V 2A Idm: 9,6A 38W TO251 de la INFINEON TECHNOLOGIES.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
SPU03N60C3BKMA1 |
Producător |
INFINEON TECHNOLOGIES |
Subtip ambalaj |
tub |
Putere disipată |
38W |
Montare |
THT |
Carcasă |
TO251 |
Curent de drenă în impuls |
9,6A |
Polarizare |
unipolar |
Curent drenă |
2A |
Tensiune drenă-sursă |
650V |
Tensiune poartă-sursă |
±20V |
Rezistenţă în timpul funcţionării |
1,4Ω |
Subtip canal |
îmbogăţit |
Încărcătură poartă |
2nC |
Tip tranzistor |
N-MOSFET |
Tehnologie |
CoolMOS™ |
Fisiere asociate
Descarcari