Categorii
N-MOSFET 650V 26.5A 250W MDmesh™ V Unipolar | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET 650V 26.5A 250W MDmesh™ V Unipolar | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET 650V 26.5A 250W MDmesh™ V Unipolar | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET 650V 26.5A 250W MDmesh™ V Unipolar

STW57N65M5-4
Tranzistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 26,5A; 250W
112,86 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

38.29 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET MDmesh™ V unipolar 650V 26,5A 250W, STW57N65M5-4 este un produs de înaltă calitate fabricat de STMicroelectronics, unul dintre cei mai reputați producători din industria electronică. Acest tranzistor este montat în tehnologia THT și are o carcasă TO247-4, fiind ambalat într-un tub pentru protecție. Cu caracteristici de elemente semiconductoare de tip terminal Kelvin, acest tranzistor este proiectat pentru a disipa o putere de 250W, având o polarizare unipolară și un curent de drenaj de 26.5A. Cu o tensiune drenaj-sursă de 650V și o tensiune poartă-sursă de ±25V, acest tranzistor oferă o rezistență în timpul funcționării de 56mΩ. Subtipul canal este îmbogățit, iar tipul tranzistorului este N-MOSFET. Cu performanțe excelente și fiabilitate ridicată, acest tranzistor este ideal pentru aplicații care necesită o comutare eficientă și o disipare redusă a căldurii.
Detalii ale produsului
19 Produse

Fisa tehnica

Referință STW57N65M5-4
Producător STMicroelectronics
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 250W
Montare THT
Carcasă TO247-4
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
terminal Kelvin
Polarizare unipolar
Curent drenă 26,5A
26.5A
Tensiune drenă-sursă 650V
Tensiune poartă-sursă ±25V
Rezistenţă în timpul funcţionării 56mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie MDmesh™ V
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
77 produse asociate: