Categorii
Tranzistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 62A; 350W; TO220AB
  • Tranzistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 62A; 350W; TO220AB

Tranzistor N-MOSFET IXYS PolarHT™ 150V 62A 350W TO220AB

IXTP62N15P
Tranzistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 62A; 350W; TO220AB
41,10 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistor N-MOSFET IXYS PolarHT™ 150V 62A 350W TO220AB

Tranzistorul N-MOSFET IXYS PolarHT™ reprezintă o soluție avansată pentru aplicațiile care necesită performanțe de înaltă eficiență și fiabilitate. Cu o tensiune drenă-sursă de 150V și un curent drenă de 62A, acest tranzistor este proiectat pentru a gestiona sarcini mari, făcându-l ideal pentru sisteme de alimentare și aplicații industriale.

Carcasa TO220AB permite o montare THT simplă, asigurând o integrare ușoară în diverse circuite. Puterea disipată de 350W și rezistența în timpul funcționării de doar 40mΩ contribuie la o performanță termică excelentă, ceea ce este esențial pentru menținerea eficienței energetice în aplicații critice.

Polarizarea unipolară și subtipul canal îmbogățit optimizează funcționarea tranzistorului, iar încărcătura poartă de 70nC, împreună cu timpul de restabilire de 150ns, asigură o comutare rapidă și precisă. Tehnologia PolarHT™ garantează o stabilitate ridicată în condiții variate de operare.

Alege Tranzistorul N-MOSFET IXYS PolarHT™ pentru soluții electronice de înaltă performanță și fiabilitate, adaptate nevoilor moderne ale industriei.
Detalii ale produsului
267 Produse

Fisa tehnica

Referință IXTP62N15P
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 350W
Montare THT
Carcasă TO220AB
Polarizare unipolar
Curent drenă 62A
Tensiune drenă-sursă 150V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 40mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 70nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Timp de restabilire 150ns
Tehnologie PolarHT™
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
340 produse asociate: