Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 60V 48A 110W TO220AB fabricat de INFINEON TECHNOLOGIES este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a satisface cerințele cele mai exigente ale industriei electronice. Acest tranzistor este ambalat într-un tub TO220AB și este montat pe tehnologia THT pentru o fiabilitate maximă.
Cu o putere disipată de 110W, acest tranzistor poate gestiona cu ușurință aplicații de putere medie. Polarizarea unipolară asigură o funcționare eficientă și stabilă. Curentul de drenaj de 48A și tensiunea de drenaj-sursă de 60V fac ca acest tranzistor să fie potrivit pentru o gamă largă de aplicații.
Cu o tensiune poartă-sursă de ±20V și o rezistență în timpul funcționării de 23mΩ, acest tranzistor oferă performanțe excelente și fiabilitate pe termen lung. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă de 40nC asigură un control precis al semnalului.
Acest tranzistor N-MOSFET de la INFINEON TECHNOLOGIES este soluția ideală pentru aplicații care necesită o comutare rapidă și eficientă. Cu tehnologia HEXFET® integrată, acest tranzistor oferă performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung. Optați pentru Tranzistorul N-MOSFET unipolar 60V 48A 110W TO220AB pentru aplicațiile dvs. electronice de înaltă calitate.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
IRFZ44EPBF |
Producător |
INFINEON TECHNOLOGIES |
Subtip ambalaj |
tub |
Putere disipată |
110W |
Montare |
THT |
Carcasă |
TO220AB |
Polarizare |
unipolar |
Curent drenă |
48A |
Tensiune drenă-sursă |
60V |
Tensiune poartă-sursă |
±20V |
Rezistenţă în timpul funcţionării |
23mΩ |
Subtip canal |
îmbogăţit |
Încărcătură poartă |
40nC |
Tip tranzistor |
N-MOSFET |
Tehnologie |
HEXFET® |
Fisiere asociate
Descarcari