Tranzistorul N-MOSFET unipolar 600V 19A Idm: 89A 219W TO247-3 de la MICROCHIP (MICROSEMI) este un dispozitiv de înaltă performanță, ideal pentru aplicații electronice exigente. Cu o putere disipată impresionantă de 219W, acest tranzistor oferă o fiabilitate excelentă în funcționare. Curentul de drenă în impuls de 89A asigură o funcționare eficientă și sigură, iar tensiunea drenă-sursă de 600V și tensiunea poartă-sursă de ±20V permit o gamă variată de aplicații.
Cu o rezistență în timpul funcționării de 0,125Ω și un subtip de canal îmbogățit, acest tranzistor oferă performanțe superioare și o durată lungă de viață. Încărcătura poartă de 88nC și tehnologia CoolMOS™ fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru proiectele care necesită o funcționare fiabilă și eficientă. Cu o montare THT și o carcasă TO247-3, acest tranzistor este ușor de integrat în diferite dispozitive electronice.
Indiferent de aplicația dvs., Tranzistorul N-MOSFET unipolar 600V 19A Idm: 89A 219W TO247-3 de la MICROCHIP (MICROSEMI) este alegerea perfectă pentru proiectele electronice care necesită performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung.
Detalii ale produsului
9 Produse
Fisa tehnica
Referință
APT30N60BC6
Producător
MICROCHIP (MICROSEMI)
Putere disipată
219W
Montare
THT
Carcasă
TO247-3
Curent de drenă în impuls
89A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
19A
Tensiune drenă-sursă
600V
Tensiune poartă-sursă
±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,125Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
88nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
CoolMOS™
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.