Tranzistorul N-MOSFET Hi-PotMOS2 unipolar 600V 12A Idm: 48A 90W produs de SHINDENGEN este o alegere excelentă pentru aplicațiile dumneavoastră electronice. Acest tranzistor vine într-un subtip de ambalaj în vrac, este montat pe tehnologia Through-Hole (THT) și are o carcasă FTO-220AG (SC91). Cu o putere disipată de 90W și un curent de drenare în impuls de 48A, acest tranzistor este extrem de fiabil și eficient.
Cu o polarizare unipolară și un curent de drenare de 12A, tranzistorul N-MOSFET Hi-PotMOS2 oferă o tensiune drenaj-sursă de 600V și o tensiune poartă-sursă de ±30V. Cu o rezistență în timpul funcționării de 670mΩ și un subtip de canal îmbogățit, acest tranzistor este proiectat pentru performanțe superioare.
Cu o încărcătură de poartă de 26,5nC și o tehnologie Hi-PotMOS2, acest tranzistor este potrivit pentru o varietate de aplicații electronice. Fiind un produs SHINDENGEN, puteți avea încredere în calitatea și fiabilitatea acestui tranzistor. Optați pentru tranzistorul N-MOSFET Hi-PotMOS2 pentru performanțe excelente și fiabilitate pe termen lung.
Detalii ale produsului
280 Produse
Fisa tehnica
Referință
P12F60HP2-5600
Producător
SHINDENGEN
Subtip ambalaj
în vrac
Putere disipată
90W
Montare
THT
Carcasă
FTO-220AG (SC91)
Curent de drenă în impuls
48A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
12A
Tensiune drenă-sursă
600V
Tensiune poartă-sursă
±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării
670mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
26,5nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
Hi-PotMOS2
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.