Categorii
Tranzistor N-MOSFET 600V 12A 90W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 600V 12A 90W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 600V 12A 90W

P12F60HP2-5600
Tranzistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 12A; Idm: 48A; 90W
9,47 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET Hi-PotMOS2 unipolar 600V 12A Idm: 48A 90W produs de SHINDENGEN este o alegere excelentă pentru aplicațiile dumneavoastră electronice. Acest tranzistor vine într-un subtip de ambalaj în vrac, este montat pe tehnologia Through-Hole (THT) și are o carcasă FTO-220AG (SC91). Cu o putere disipată de 90W și un curent de drenare în impuls de 48A, acest tranzistor este extrem de fiabil și eficient.

Cu o polarizare unipolară și un curent de drenare de 12A, tranzistorul N-MOSFET Hi-PotMOS2 oferă o tensiune drenaj-sursă de 600V și o tensiune poartă-sursă de ±30V. Cu o rezistență în timpul funcționării de 670mΩ și un subtip de canal îmbogățit, acest tranzistor este proiectat pentru performanțe superioare.

Cu o încărcătură de poartă de 26,5nC și o tehnologie Hi-PotMOS2, acest tranzistor este potrivit pentru o varietate de aplicații electronice. Fiind un produs SHINDENGEN, puteți avea încredere în calitatea și fiabilitatea acestui tranzistor. Optați pentru tranzistorul N-MOSFET Hi-PotMOS2 pentru performanțe excelente și fiabilitate pe termen lung.
Detalii ale produsului
280 Produse

Fisa tehnica

Referință P12F60HP2-5600
Producător SHINDENGEN
Subtip ambalaj în vrac
Putere disipată 90W
Montare THT
Carcasă FTO-220AG (SC91)
Curent de drenă în impuls 48A
Polarizare unipolar
Curent drenă 12A
Tensiune drenă-sursă 600V
Tensiune poartă-sursă ±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării 670mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 26,5nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie Hi-PotMOS2
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: