Categorii
N-MOSFET Tranzistor 800V 2.6A 125W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 800V 2.6A 125W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 800V 2.6A 125W TO220AB

IRFBE30PBF
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2,6A; 125W; TO220AB
17,25 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar VISHAY 800V 2,6A 125W TO220AB este o alegere excelentă pentru proiectele electronice care necesită performanțe superioare. Acest tranzistor este proiectat să ofere o putere disipată de 125W, cu o polarizare unipolară și un curent de drenaj de 2,6A. Tensiunea drenaj-sursă este de 800V, iar tensiunea poartă-sursă este de ±20V, asigurând o funcționare stabilă în diverse aplicații. Cu o rezistență de doar 3Ω în timpul funcționării, acest tranzistor oferă performanțe excelente în condiții de sarcină variabile. Subtipul de canal îmbogățit și încărcătura de poartă de 78nC fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru aplicații care necesită o comutare rapidă și eficientă. TO220AB este carcasa robustă care facilitează montarea pe plăci prin găuri trecătoare (THT), oferind o soluție de înaltă calitate pentru proiectele tale electronice. Cu VISHAY ca producător de încredere, poți avea încredere că acest tranzistor N-MOSFET va îndeplini toate cerințele tale de performanță și fiabilitate.
Detalii ale produsului
829 Produse

Fisa tehnica

Referință IRFBE30PBF
Producător VISHAY
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 125W
Montare THT
Carcasă TO220AB
Polarizare unipolar
Curent drenă 2,6A
Tensiune drenă-sursă 800V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 78nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: