Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 500V 5,1A Idm: 32A 125W TO220 de la NTE Electronics este un component electronic de înaltă calitate, ideal pentru diverse aplicații din domeniul electronic. Cu o putere disipată de 125W, acest tranzistor este perfect pentru proiectele care necesită o gestionare eficientă a energiei. Montat în tehnologia THT și având o carcasă TO220, este ușor de integrat în diverse circuite.
Cu un curent de drenaj în impuls de 32A și o polarizare unipolară, acest tranzistor oferă performanțe excelente în condiții de funcționare intense. Tensiunea drenaj-sursă de 500V și tensiunea poartă-sursă de ±20V îl fac potrivit pentru aplicații variate. Rezistența sa de 0,85Ω în timpul funcționării asigură o conducere eficientă a curentului.
Subtipul canalului este îmbogățit, iar tipul tranzistorului este N-MOSFET, ceea ce îl face potrivit pentru proiecte care necesită un semnal de comandă de la poartă. Cu Tranzistorul N-MOSFET unipolar 500V 5,1A Idm: 32A 125W TO220 de la NTE Electronics, vei obține performanțe de înaltă calitate și fiabilitate în proiectele tale electronice.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
NTE2385 |
Producător |
NTE Electronics |
Putere disipată |
125W |
Montare |
THT |
Carcasă |
TO220 |
Curent de drenă în impuls |
32A |
Polarizare |
unipolar |
Curent drenă |
5,1A |
Tensiune drenă-sursă |
500V |
Tensiune poartă-sursă |
±20V |
Rezistenţă în timpul funcţionării |
0,85Ω |
Subtip canal |
îmbogăţit |
Tip tranzistor |
N-MOSFET |
Fisiere asociate
Descarcari