Categorii
Tranzistor N-MOSFET 600V 5A 65W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 600V 5A 65W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 600V 5A 65W

P5F60HP2-5600
Tranzistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 5A; Idm: 20A; 65W
6,21 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET Hi-PotMOS2 unipolar 600V 5A Idm: 20A 65W de la SHINDENGEN este un produs de încredere, cu performanțe excelente. Acest tranzistor este potrivit pentru montare prin găuri trecătoare și vine în ambalaj vrac, având o carcasă FTO-220AG (SC91). Cu o putere disipată de 65W, acest tranzistor poate gestiona un curent de drenă în impuls de până la 20A. Polarizarea unipolară și curentul de drenă de 5A fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru diverse aplicații.

Tensiunea drenă-sursă de 600V și tensiunea poartă-sursă de ±30V asigură o funcționare stabilă și fiabilă. Cu o rezistență în timpul funcționării de 1,4Ω și un subtip de canal îmbogățit, acest tranzistor oferă performanțe superioare. Încărcătura poartă de 15nC și tehnologia Hi-PotMOS2 completează caracteristicile impresionante ale acestui produs de înaltă calitate. Alegeți Tranzistorul N-MOSFET Hi-PotMOS2 de la SHINDENGEN pentru rezultate remarcabile în proiectele dvs. electronice.
Detalii ale produsului
42 Produse

Fisa tehnica

Referință P5F60HP2-5600
Producător SHINDENGEN
Subtip ambalaj în vrac
Putere disipată 65W
Montare THT
Carcasă FTO-220AG (SC91)
Curent de drenă în impuls 20A
Polarizare unipolar
Curent drenă 5A
Tensiune drenă-sursă 600V
Tensiune poartă-sursă ±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării 1,4Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 15nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie Hi-PotMOS2
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: