Tranzistor N-MOSFET STMicroelectronics 600V 9,6A STD3NK60Z-1 IPAK

Tranzistor N-MOSFET STMicroelectronics 600V 9,6A STD3NK60Z-1 IPAK este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficiență ridicată. Fabricat de STMicroelectronics, acest tranzistor N-MOSFET dispune de o tensiune drenă-sursă de 600V și un curent de drenă în impuls de 9,6A, asigurând o putere disipată de 45W.

• Versiune: ESD


• Producător: STMicroelectronics


• Subtip ambalaj: tub


• Putere disipată: 45W


• Montare: THT


• Carcasă: IPAK


• Curent de drenă în impuls: 9,6A


• Polarizare: unipolar


• Curent drenă: 1,51A


• Tensiune drenă-sursă: 600V


• Tensiune poartă-sursă: ±30V


• Rezistenţă în timpul funcţionării: 3,6Ω


• Subtip canal: îmbogăţit


• Tip tranzistor: N-MOSFET

Datorită caracteristicilor sale tehnice, tranzistorul STD3NK60Z-1 este potrivit pentru aplicații industriale, surse de alimentare și circuite de comutare, oferind fiabilitate și performanță optimă în condiții variate de funcționare.