Categorii
N-MOSFET Hi-PotMOS2 500V 20A 95W Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Hi-PotMOS2 500V 20A 95W Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Hi-PotMOS2 500V 20A 95W Tranzistor

P20F50HP2-5600
Tranzistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 20A; Idm: 80A; 95W
13,29 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET Hi-PotMOS2 unipolar 500V 20A Idm: 80A 95W de la producătorul SHINDENGEN este un component electronic de încredere, cu o gamă largă de caracteristici impresionante. Acesta este ambalat în vrac și poate fi montat pe plăcile de circuit cu tehnologia THT. Carcasa sa FTO-220AG (SC91) îl face ușor de integrat în diverse aplicații. Cu o putere disipată de 95W, acest tranzistor poate face față unor sarcini exigente. Curentul de drenare în impuls de 80A și polarizarea unipolară îl fac ideal pentru aplicații de înaltă performanță. Cu un curent de drenare de 20A și o tensiune drenă-sursă de 500V, acest tranzistor oferă o eficiență remarcabilă. Tensiunea poartă-sursă de ±30V și rezistența de 0,36Ω în timpul funcționării îl fac ideal pentru aplicații sensibile. Cu un subtip de canal îmbogățit și o încărcătură de poartă de 40nC, acest tranzistor N-MOSFET este un element esențial în proiectele de electronică. Tehnologia Hi-PotMOS2 asigură fiabilitate și performanță de înaltă calitate.
Detalii ale produsului
1199 Produse

Fisa tehnica

Referință P20F50HP2-5600
Producător SHINDENGEN
Subtip ambalaj în vrac
Putere disipată 95W
Montare THT
Carcasă FTO-220AG (SC91)
Curent de drenă în impuls 80A
Polarizare unipolar
Curent drenă 20A
Tensiune drenă-sursă 500V
Tensiune poartă-sursă ±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,36Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 40nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie Hi-PotMOS2
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: