Categorii
Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 140A 714W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 140A 714W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 140A 714W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 140A 714W

S2M0016120K
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 140A; Idm: 314A; 714W
335,76 lei
Ultimele produse

Credit module tbi bank 3.4.2

94.14 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 140A Idm: 314A 714W de la SMC DIODE SOLUTIONS este un produs de înaltă calitate, ideal pentru aplicații electronice exigente. Cu o putere disipată de 714W, acest tranzistor este proiectat pentru a oferi performanțe excelente în diverse medii de lucru. Carcasa TO247-4 asigură o montare ușoară și sigură, în timp ce subtipul de ambalaj în tub asigură protecție suplimentară împotriva factorilor externi.

Cu caracteristici precum terminalul Kelvin și rezistența de funcționare de 16mΩ, acest tranzistor garantează o funcționare eficientă și fiabilă pe termen lung. Fiind un N-MOSFET, acesta are un subtip de canal îmbogățit, iar polarizarea unipolară îl face potrivit pentru o varietate de aplicații.

Cu un curent de drenaj de 140A și un curent de drenaj în impuls de 314A, acest tranzistor poate gestiona sarcini mari cu ușurință. Tensiunea drenaj-sursă de 1,2kV și tensiunea poartă-sursă de -5...20V asigură o funcționare stabilă și sigură în diferite condiții de lucru. Încărcătura de poartă de 224nC și tehnologia SiC completează specificațiile avansate ale acestui tranzistor, făcându-l alegerea perfectă pentru proiectele electronice de înaltă performanță.
Detalii ale produsului
3 Produse

Fisa tehnica

Referință S2M0016120K-SMC
Producător SMC DIODE SOLUTIONS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 714W
Montare THT
Carcasă TO247-4
Caracteristici elemente semiconductoare terminal Kelvin
Curent de drenă în impuls 314A
Polarizare unipolar
Curent drenă 140A
Tensiune drenă-sursă 1,2kV
Tensiune poartă-sursă -5...20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 16mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 224nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie SiC
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
77 produse asociate: