Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 75V 80A 200W TO220AB de la INFINEON TECHNOLOGIES este o componentă de înaltă calitate, proiectată pentru a oferi performanțe excelente în aplicațiile electronice. Acest tranzistor beneficiază de o putere disipată de 200W, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații exigente. Polarizarea unipolară asigură o funcționare stabilă și eficientă.
Cu o curent drenă de 80A și o tensiune drenă-sursă de 75V, acest tranzistor poate gestiona sarcini de putere mari cu ușurință. Tensiunea poartă-sursă de ±20V oferă flexibilitate în controlul dispozitivului. Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 12,6mΩ, acest tranzistor asigură o disipare eficientă a căldurii.
Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă de 89nC permite comutarea rapidă a dispozitivului. Acest tranzistor N-MOSFET este ideal pentru aplicații care necesită o comutare rapidă și o eficiență energetică ridicată. Tehnologia HEXFET® asigură o performanță fiabilă și durabilă într-o varietate de aplicații.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
IRF3007PBF |
Producător |
INFINEON TECHNOLOGIES |
Subtip ambalaj |
tub |
Putere disipată |
200W |
Montare |
THT |
Carcasă |
TO220AB |
Polarizare |
unipolar |
Curent drenă |
80A |
Tensiune drenă-sursă |
75V |
Tensiune poartă-sursă |
±20V |
Rezistenţă în timpul funcţionării |
12,6mΩ |
Subtip canal |
îmbogăţit |
Încărcătură poartă |
89nC |
Tip tranzistor |
N-MOSFET |
Tehnologie |
HEXFET® |
Fisiere asociate
Descarcari