Categorii
  • Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET 75V 80A 200W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 75V 80A 200W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 75V 80A 200W TO220AB

IRF3007PBF
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 200W; TO220AB
0,00 lei

()

Stoc epuizat
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 75V 80A 200W TO220AB de la INFINEON TECHNOLOGIES este o componentă de înaltă calitate, proiectată pentru a oferi performanțe excelente în aplicațiile electronice. Acest tranzistor beneficiază de o putere disipată de 200W, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații exigente. Polarizarea unipolară asigură o funcționare stabilă și eficientă.

Cu o curent drenă de 80A și o tensiune drenă-sursă de 75V, acest tranzistor poate gestiona sarcini de putere mari cu ușurință. Tensiunea poartă-sursă de ±20V oferă flexibilitate în controlul dispozitivului. Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 12,6mΩ, acest tranzistor asigură o disipare eficientă a căldurii.

Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă de 89nC permite comutarea rapidă a dispozitivului. Acest tranzistor N-MOSFET este ideal pentru aplicații care necesită o comutare rapidă și o eficiență energetică ridicată. Tehnologia HEXFET® asigură o performanță fiabilă și durabilă într-o varietate de aplicații.
Detalii ale produsului

Fisa tehnica

Referință IRF3007PBF
Producător INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 200W
Montare THT
Carcasă TO220AB
Polarizare unipolar
Curent drenă 80A
Tensiune drenă-sursă 75V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 12,6mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 89nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: