Categorii
Tranzistor N-MOSFET OptiMOS T2 60V 58A | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET OptiMOS T2 60V 58A | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET OptiMOS T2 60V 58A

IPI80N06S407AKSA2
Tranzistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 58A; Idm: 320A
17,27 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET OptiMOS®-T2 unipolar 60V 58A Idm: 320A de la INFINEON TECHNOLOGIES este o alegere excelentă pentru proiectele dvs. electronice. Acest tranzistor este montat THT și are o carcasă PG-TO262-3, oferind o putere disipată de 79W. Cu un curent de drenă în impuls de 320A și o polarizare unipolară, acest tranzistor este potrivit pentru o varietate de aplicații.

Cu un curent de drenă de 58A și o tensiune drenă-sursă de 60V, acest tranzistor oferă performanțe fiabile și eficiente. Tensiunea poartă-sursă de ±20V și rezistența în timpul funcționării de 7,4mΩ asigură o funcționare stabilă și precisă. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă este de 27nC.

Acest tranzistor N-MOSFET este ideal pentru aplicații care necesită o comutare rapidă și eficientă. Cu tehnologia OptiMOS®-T2, acest tranzistor oferă performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung. Alegeți calitatea și inovația cu tranzistorul N-MOSFET de la INFINEON TECHNOLOGIES.
Detalii ale produsului
398 Produse

Fisa tehnica

Referință IPI80N06S407AKSA2
Producător INFINEON TECHNOLOGIES
Putere disipată 79W
Montare THT
Carcasă PG-TO262-3
Curent de drenă în impuls 320A
Polarizare unipolar
Curent drenă 58A
Tensiune drenă-sursă 60V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 7,4mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 27nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie OptiMOS® -T2
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: