Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la NEXPERIA este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a satisface nevoile celor mai exigente aplicații electronice. Cu o putere de disipare impresionantă de 300W, acest tranzistor poate face față cu ușurință sarcinilor intensive. Carcasa TO220AB și SOT78 oferă o montare simplă și sigură, asigurând o performanță optimă în orice mediu.
Cu o tensiune de drenaj-sursă de 100V și un curent de drenaj de 75A, acest tranzistor este perfect pentru aplicații care necesită o putere mare. Polarizarea unipolară și tensiunea poartă-sursă de ±20V asigură o funcționare stabilă și fiabilă. Rezistența redusă în timpul funcționării de 40,5mΩ și încărcătura poartă de 90nC fac din acest tranzistor o alegere excelentă pentru aplicațiile cu cerințe ridicate.
Cu un subtip de canal îmbogățit și tipul N-MOSFET, acest tranzistor oferă performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung. În plus, tubul de ambalaj THT asigură protecția împotriva factorilor externi și o manipulare ușoară. Alegeți tranzistorul N-MOSFET unipolar de la NEXPERIA pentru o performanță de top în aplicațiile dumneavoastră electronice.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
PSMN015-100P.127 |
Producător |
NEXPERIA |
Subtip ambalaj |
tub |
Putere disipată |
300W |
Montare |
THT |
Carcasă |
SOT78
TO220AB |
Polarizare |
unipolar |
Curent drenă |
75A |
Tensiune drenă-sursă |
100V |
Tensiune poartă-sursă |
±20V |
Rezistenţă în timpul funcţionării |
40,5mΩ |
Subtip canal |
îmbogăţit |
Încărcătură poartă |
90nC |
Tip tranzistor |
N-MOSFET |
Fisiere asociate
Descarcari