Tranzistorul N-MOSFET unipolar 700V 4A Idm: 8A 80W IPAK de la IXYS este un produs de înaltă calitate, ideal pentru aplicații care necesită o putere de disipare de până la 80W. Acest tranzistor se remarcă prin carcasa IPAK durabilă și subtipul de ambalaj în tub, ceea ce îl face ușor de montat în diferite configurații.
Cu un curent de drenaj în impuls de 8A și un curent de drenaj continuu de 4A, acest tranzistor oferă performanțe excelente în aplicații cu cerințe ridicate de putere. Tensiunea drenaj-sursă de 700V și tensiunea poartă-sursă de ±30V asigură o funcționare stabilă și fiabilă în diferite condiții de lucru.
Rezistența redusă în timpul funcționării de 0,85Ω și subtipul canalului îmbogățit fac din acest tranzistor o alegere excelentă pentru aplicații cu solicitări ridicate de performanță. De asemenea, încărcătura poartă de 11,8nC și tipul de tranzistor N-MOSFET completează caracteristicile sale impresionante, făcându-l potrivit pentru o varietate de aplicații electronice.
Detalii ale produsului
68 Produse
Fisa tehnica
Referință
IXTU4N70X2
Producător
IXYS
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
80W
Montare
THT
Carcasă
IPAK
Curent de drenă în impuls
8A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
4A
Tensiune drenă-sursă
700V
Tensiune poartă-sursă
±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,85Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
11,8nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.