Categorii
Etichete
Tranzistor N-MOSFET 200V 5.7A 75W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 200V 5.7A 75W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 200V 5.7A 75W

IRF630
Tranzistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5,7A; 75W
15,23 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET MESH OVERLAY™ II unipolar 200V 5,7A 75W, produs de STMicroelectronics, este un component electronic de înaltă performanță, potrivit pentru o varietate de aplicații. Acest tranzistor este ambalat într-un tub TO220-3 și poate fi montat prin tehnica THT. Cu o putere disipată de 75W, acesta este proiectat pentru a gestiona sarcini semnificative. Caracteristicile elementelor semiconductoare includ o poartă protejată ESD, asigurând o protecție fiabilă împotriva descărcărilor electrostatice.

Polarizarea unipolară a tranzistorului permite un control precis al curentului de drenaj, cu o valoare nominală de 5,7A. Cu o tensiune drenaj-sursă de 200V și o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor oferă o funcționare stabilă și eficientă. Rezistența în timpul funcționării de 0,4Ω asigură o disipare redusă a căldurii, contribuind la durabilitatea produsului.

Subtipul canalului este îmbogățit, iar tipul tranzistorului este N-MOSFET, oferind o performanță superioară în aplicațiile respective. Tehnologia MESH OVERLAY™ II optimizează funcționarea tranzistorului, asigurând o funcționare fiabilă și eficientă în diverse condiții de utilizare. Cu Tranzistorul N-MOSFET MESH OVERLAY™ II, puteți conta pe performanță și fiabilitate de încredere în proiectele dumneavoastră electronice.
Detalii ale produsului
615 Produse

Fisa tehnica

Referință IRF630
Producător STMicroelectronics
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 75W
Montare THT
Carcasă TO220-3
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Polarizare unipolar
Curent drenă 5,7A
Tensiune drenă-sursă 200V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,4Ω
Subtip canal îmbogăţit
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie MESH OVERLAY™ II
Fisiere asociate
Descarcari
Documentatie PDF

Descarcari (447.71KB)
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
340 produse asociate: