Descriere
Tranzistorul N-MOSFET MDmesh™ M6 unipolar 600V 19A Idm: 102A de la STMicroelectronics este o soluție inovatoare pentru aplicațiile dumneavoastră electronice. Acest tranzistor are o putere disipată de 40W, ceea ce îl face potrivit pentru o varietate de aplicații. Cu un curent de drenă în impuls de 102A și o tensiune drenă-sursă de 600V, acest tranzistor este puternic și fiabil.
Cu o rezistență în timpul funcționării de 99mΩ și un subtip de canal îmbogățit, acest tranzistor oferă performanțe superioare și eficiență energetică. De asemenea, are o încărcătură de poartă de 44,3nC și o polarizare unipolară, ceea ce îl face ușor de utilizat în diferite aplicații.
Cu un subtip de ambalaj în tub și o montare THT, acest tranzistor este ușor de integrat în designul dumneavoastră. Carcasa TO220FP oferă o protecție suplimentară împotriva factorilor externi, asigurând o durabilitate și fiabilitate sporită.
Cu o tensiune poartă-sursă de ±25V și tehnologia MDmesh™ M6, acest tranzistor oferă performanțe de vârf și o durată lungă de viață. Este un produs de înaltă calitate, fabricat de STMicroelectronics, un producător de renume în industria electronică. Alegeți tranzistorul N-MOSFET MDmesh™ M6 pentru aplicațiile dumneavoastră și beneficiați de performanțe excelente și fiabilitate ridicată.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
STF36N60M6 |
Producător |
STMicroelectronics |
Subtip ambalaj |
tub |
Putere disipată |
40W |
Montare |
THT |
Carcasă |
TO220FP |
Curent de drenă în impuls |
102A |
Polarizare |
unipolar |
Curent drenă |
19A |
Tensiune drenă-sursă |
600V |
Tensiune poartă-sursă |
±25V |
Rezistenţă în timpul funcţionării |
99mΩ |
Subtip canal |
îmbogăţit |
Încărcătură poartă |
44,3nC |
Tip tranzistor |
N-MOSFET |
Tehnologie |
MDmesh™ M6 |
Fisiere asociate
Descarcari