Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la IXYS este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a satisface nevoile celor mai exigente aplicații electronice. Cu o tensiune de drenaj-sursă de 600V și un curent de drenaj de 50A, acest tranzistor este potrivit pentru o varietate de aplicații de putere. Carcasa TO247-3 asigură o montare ușoară și fiabilă, în timp ce rezistența redusă în timpul funcționării de doar 73mΩ îmbunătățește eficiența și fiabilitatea dispozitivului.
Cu o putere disipată impresionantă de 660W, acest tranzistor poate gestiona sarcini de putere mari fără probleme. Elementele semiconductoare de clasă x ultra junction asigură performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung. Polarizarea unipolară și timpul de restabilire rapid de 195ns fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru aplicații sensibile la timp.
Subtipul canalului îmbogățit și încărcătura poartă de 116nC completează caracteristicile excelente ale acestui tranzistor N-MOSFET. Cu un design solid și performanțe remarcabile, acest produs de la IXYS este alegerea perfectă pentru proiectele dumneavoastră de electronică de putere.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
IXFH50N60X |
Producător |
IXYS |
Subtip ambalaj |
tub |
Putere disipată |
660W |
Montare |
THT |
Carcasă |
TO247-3 |
Caracteristici elemente semiconductoare |
ultra junction x-class |
Polarizare |
unipolar |
Curent drenă |
50A |
Tensiune drenă-sursă |
600V |
Rezistenţă în timpul funcţionării |
73mΩ |
Subtip canal |
îmbogăţit |
Încărcătură poartă |
116nC |
Tip tranzistor |
N-MOSFET |
Timp de restabilire |
195ns |
Fisiere asociate
Descarcari