N-MOSFET GigaMOS 300V 102A

Tranzistorul N-MOSFET GigaMOS™ unipolar 300V 102A Idm: 440A, MMIX1F160N30T de la IXYS este o alegere excelentă pentru aplicațiile care necesită o putere și o performanță superioare. Acest tranzistor impresionant oferă o putere disipată de 570W, curent de drenă în impuls de 440A și un curent de drenă de 102A. Cu o tensiune drenă-sursă de 300V și o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest dispozitiv este proiectat pentru a face față unor sarcini exigente.

Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 20mΩ, acest tranzistor asigură o eficiență ridicată și performanțe excelente. Tehnologia Trench™ utilizată în acest dispozitiv îl face fiabil și durabil în timpul utilizării. Subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 367nC contribuie la performanțele remarcabile ale acestui tranzistor.

Montat în tehnologia SMD și având o carcasă SMPD, acest tranzistor este ușor de integrat în diferite aplicații. Cu o polarizare unipolară și un timp de restabilire de doar 200ns, acest dispozitiv este potrivit pentru aplicații unde timpul și eficiența sunt critice. IXYS a creat un tranzistor de înaltă calitate, care va satisface cerințele celor mai exigente aplicații electronice.