Tranzistor N-MOSFET 60V 500mA DMN61D8LVT-7 DIODES INCORPORATED TSOT26

Tranzistor N-MOSFET 60V 500mA DMN61D8LVT-7 DIODES INCORPORATED TSOT26 este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficiență energetică. Fabricat de DIODES INCORPORATED, acest tranzistor N-MOSFET dispune de o tensiune maximă drenă-sursă de 60V și un curent maxim de drenă de 0,5A, asigurând o funcționare stabilă în circuite cu cerințe moderate de putere.

Caracteristici principale:

• Producător: DIODES INCORPORATED


• Tip tranzistor: N-MOSFET


• Subtip canal: îmbogățit


• Putere disipată: 1,09W


• Curent drenă: 0,5A


• Tensiune drenă-sursă: 60V


• Tensiune poartă-sursă: ±12V


• Rezistență în timpul funcționării: 2,4Ω


• Încărcătură poartă: 740pC


• Polarizare: unipolar


• Montare: SMD


• Carcasă: TSOT26


• Subtip ambalaj: bandă, rolă 7 inch

Designul compact în carcasă TSOT26 și montarea SMD facilitează integrarea în plăci de circuite imprimate moderne, optimizând spațiul și performanța dispozitivului. Tranzistorul este potrivit pentru aplicații de comutare și amplificare în echipamente electronice diverse, oferind fiabilitate și durabilitate în exploatare.