Tranzistorul N-MOSFET EETMOS3 unipolar 100V 126A Idm: 504A 238W de la SHINDENGEN este un produs de înaltă calitate, ideal pentru aplicații electronice complexe. Acest tranzistor se remarcă prin caracteristici de top, cum ar fi puterea disipată de 238W și curentul de drenă în impuls de 504A, ceea ce îl face potrivit pentru sarcini exigente.
Cu o tensiune drenă-sursă de 100V și o rezistență în timpul funcționării de 4,8mΩ, acest tranzistor oferă performanțe excelente și fiabilitate pe termen lung. Montarea sa SMD și carcasa FP (SC83 similar) îl fac ușor de integrat în diverse aplicații electronice.
De asemenea, tranzistorul N-MOSFET EETMOS3 de la SHINDENGEN are o polarizare unipolară, un curent de drenă de 126A și o tensiune poartă-sursă de ±20V. Cu un subtip de canal îmbogățit și o încărcătură de poartă de 160nC, acest tranzistor este potrivit pentru diverse tipuri de circuite electronice.
Cu tehnologia avansată EETMOS3, acest tranzistor oferă performanțe superioare și eficiență în funcționare. Indiferent de aplicația electronică pentru care este utilizat, tranzistorul N-MOSFET de la SHINDENGEN se va remarca prin fiabilitate și performanțe de top.