Tranzistorul N-MOSFET RF PowerSO10RF de la STMicroelectronics reprezintă o soluție de vârf în domeniul electronicii RF, ideal pentru aplicații care necesită eficiență și putere de ieșire ridicată. Cu o putere disipată de 31,7W și o frecvență de operare de până la 500MHz, acest tranzistor oferă performanțe excepționale, fiind perfect pentru amplificatoare RF și alte aplicații de comunicație.
Designul său compact, cu carcasă PowerSO10RF și montare electrică SMT, facilitează integrarea în diverse circuite, economisind spațiu și resurse. Eficiența de 52% și puterea de ieșire de 3W asigură o performanță optimă, iar curentul drenă de 2,5A și tensiunea drenă-sursă de 40V conferă stabilitate și fiabilitate în utilizare.
Tranzistorul funcționează cu polarizare unipolară, având o tensiune poartă-sursă de ±20V, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații diverse. Cu un subtip canal îmbogățit și un factor de amplificare de 17dB, acest N-MOSFET oferă o amplificare superioară, garantând rezultate de calitate înaltă. Alegeți Tranzistorul N-MOSFET RF PowerSO10RF pentru a îmbunătăți performanța sistemelor dumneavoastră electronice!