Categorii
  • Nou
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 190A; Idm: 1440A; 250W; D2PAK-6
  • Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 190A; Idm: 1440A; 250W; D2PAK-6
  • Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 190A; Idm: 1440A; 250W; D2PAK-6

Tranzistor N-MOSFET ONSEMI FDB0190N807L 80V 190A 250W D2PAK-6

FDB0190N807L
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 190A; Idm: 1440A; 250W; D2PAK-6
43,34 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere

Tranzistor N-MOSFET ONSEMI FDB0190N807L 80V 190A 250W D2PAK-6


Tranzistorul N-MOSFET ONSEMI FDB0190N807L este proiectat pentru aplicații ce necesită performanță ridicată și fiabilitate. Cu o tensiune drenă-sursă de 80V și un curent de drenă de 190A, acest component suportă sarcini electrice intense, fiind ideal pentru circuite de putere.



  • Producător: ONSEMI

  • Tip tranzistor: N-MOSFET

  • Subtip canal: Îmbogățit

  • Putere disipată: 250W

  • Curent de drenă în impuls: 1,44kA

  • Rezistență în timpul funcționării: 4,3mΩ

  • Tensiune poartă-sursă: ±20V

  • Încărcătură poartă: 249nC

  • Polarizare: Unipolar

  • Montare: SMD

  • Carcasă: D2PAK-6

  • Subtip ambalaj: rolă, bandă


Ambalajul în rolă și bandă facilitează integrarea în procesele automate de asamblare. Carcasa D2PAK-6 asigură o disipare termică eficientă, iar caracteristicile electrice avansate îl recomandă pentru utilizarea în surse de alimentare, convertoare și alte echipamente electronice de putere.

Detalii ale produsului
800 Produse

Fisa tehnica

Referință FDB0190N807L
Producător ONSEMI
Subtip ambalaj bandă
rolă
Putere disipată 250W
Montare SMD
Carcasă D2PAK-6
Curent de drenă în impuls 1,44kA
Polarizare unipolar
Curent drenă 190A
Tensiune drenă-sursă 80V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 4,3mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 249nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
13 produse asociate: