Categorii
  • NRF52840-DONGLE

N-MOSFET Tranzistor Unipolar 850V 3.5A 150W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor Unipolar 850V 3.5A 150W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor Unipolar 850V 3.5A 150W

IXFA4N85X
Tranzistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 3,5A; Idm: 10A; 150W
30,41 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul IXYS N-MOSFET X-Class unipolar 850V 3,5A Idm: 10A 150W este un dispozitiv electronic de ultimă generație, perfect adaptat pentru aplicații care necesită o putere de disipare ridicată și performanțe excelente. Acest tranzistor este fabricat de către IXYS, un producător de renume în industria electronică.

Cu un subtip de ambalaj tub și montare SMD, acest tranzistor are o carcasă TO263 și poate disipa o putere de până la 150W. Caracteristicile elementelor semiconductoare ultra junction x-class îl fac ideal pentru aplicații exigente. Cu un curent de drenaj în impuls de 10A și o polarizare unipolară, acest tranzistor poate gestiona cu succes o varietate de sarcini.

Tensiunea drenaj-sursă de 850V și tensiunea poartă-sursă de ±30V asigură o funcționare stabilă și fiabilă. Rezistența în timpul funcționării de 2,5Ω, subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 7nC sunt doar câteva dintre caracteristicile care fac acest tranzistor să se remarce.

Cu un timp de restabilire de 170ns și tehnologii de vârf precum HiPerFET™ și X-Class, acest tranzistor este alegerea perfectă pentru aplicațiile care necesită performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung. Investiția în acest tranzistor IXYS va aduce avantaje semnificative în proiectele dvs. electronice.
Detalii ale produsului
100 Produse

Fisa tehnica

Referință IXFA4N85X
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 150W
Montare SMD
Carcasă TO263
Caracteristici elemente semiconductoare ultra junction x-class
Curent de drenă în impuls 10A
Polarizare unipolar
Curent drenă 3,5A
Tensiune drenă-sursă 850V
Tensiune poartă-sursă ±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării 2,5Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 7nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Timp de restabilire 170ns
Tehnologie HiPerFET™
X-Class
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
21 produse asociate: