Tranzistorul N-MOSFET x2 unipolar 60V 4,4A 3,7W SO8 de la VISHAY este un component electronic de înaltă calitate, proiectat pentru a oferi performanțe superioare în diverse aplicații. Acest tranzistor este ambalat în banda SO8 și poate fi montat cu ușurință folosind tehnologia SMD. Cu o putere disipată de 3,7W și o polarizare unipolară, acest tranzistor oferă o rezistență în timpul funcționării de 52mΩ, asigurând o funcționare eficientă și fiabilă.
Cu o curent drenă de 4,4A și o tensiune drenă-sursă de 60V, acest tranzistor poate gestiona sarcini de putere semnificative, fiind ideal pentru aplicații care necesită o performanță ridicată. Tensiunea poartă-sursă de ±20V oferă flexibilitate și stabilitate în funcționare, ceea ce face acest tranzistor potrivit pentru o varietate de proiecte electronice.
Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă este de 25nC, ceea ce contribuie la o funcționare precisă și eficientă a tranzistorului. Tipul N-MOSFET x2 îl face potrivit pentru aplicații specifice care necesită această configurație particulară. Cu tranzistorul VISHAY N-MOSFET x2, veți obține performanță și fiabilitate de încredere în proiectele dumneavoastră electronice.