Categorii
  • Stoc epuizat
Tranzistor IGBT 3kV 12A 160W TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor IGBT 3kV 12A 160W TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor IGBT 3kV 12A 160W TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor IGBT 3kV 12A 160W TO247-3

IXBH12N300
Tranzistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 12A; 160W; TO247-3
236,89 lei
Stoc epuizat

Credit module tbi bank 3.4.2

69.37 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul IXYS IGBT BiMOSFET™ 3kV 12A 160W TO247-3 este un component electronic de înaltă calitate, produs de IXYS. Acesta este ambalat într-un tub și se montează prin orificiile prin-placă. Carcasa TO247-3 oferă o putere de disipare de 160W, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații cu cerințe ridicate de putere.

Elementele semiconductoare ale acestui tranzistor sunt de tensiune înaltă, permițând o tensiune de colector-emitor de 3kV și un curent de colector de 12A. Tensiunea port-emitor este de ±20V, iar timpul de activare este de 460ns, în timp ce timpul de dezactivare este de 705ns.

Tranzistorul IGBT BiMOSFET™ 3kV 12A 160W TO247-3 utilizează tehnologia FRED și BiMOSFET™, oferind o încărcătură de poartă de 62nC. Cu un curent de colector pulsat de 100A, acest tranzistor este ideal pentru aplicații care necesită performanțe superioare și fiabilitate.
Detalii ale produsului

Fisa tehnica

Referință IXBH12N300
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 160W
Montare THT
Carcasă TO247-3
Caracteristici elemente semiconductoare de tensiune înaltă
Curent de colector pulsat 100A
Tensiunea poartă - emitor ±20V
Curent de colector 12A
Timp activare 460ns
Tensiune colector-emiţător 3kV
Încărcătură poartă 62nC
Tip tranzistor IGBT
Timp dezactivare 705ns
Tehnologie BiMOSFET™
FRED
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: