Categorii
IGBT 1200V 25A 348W TO247 Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • IGBT 1200V 25A 348W TO247 Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

IGBT 1200V 25A 348W TO247 Tranzistor

DG25X12T2
Tranzistor: IGBT; 1200V; 25A; 348W; TO247
39,08 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul IGBT 1200V 25A 348W TO247 de la STARPOWER SEMICONDUCTOR este o alegere ideală pentru aplicațiile dumneavoastră de electronice de putere. Acest tranzistor de înaltă calitate vine cu caracteristici impresionante care îl fac să se remarce în piață.

Producătorul acestui tranzistor este STARPOWER SEMICONDUCTOR, garantându-vă calitatea și fiabilitatea produsului. Subtipul ambalajului este un tub convenabil pentru montare prin găuri. Montarea acestuia se face prin tehnologia Through-Hole Technology (THT), asigurându-vă o instalare simplă și eficientă. Carcasa TO247 este robustă și durabilă, protejând tranzistorul împotriva factorilor externi.

Cu o putere disipată de 348W, acest tranzistor poate gestiona cu succes sarcini de putere semnificative. Caracteristicile elementelor semiconductoare includ un diod anti-paralel integrat, asigurându-vă o protecție suplimentară împotriva supratensiunilor.

Cu un curent de colector de 25A și o tensiune poartă-emițător de ±20V, acest tranzistor oferă performanțe excelente. Timpul de activare de 36ns și timpul de dezactivare de 362ns îl fac ideal pentru aplicații care necesită comutare rapidă și eficientă.

Cu o tensiune colector-emițător de 1,2kV și o încărcătură de poartă de 0,19µC, acest tranzistor IGBT este soluția perfectă pentru aplicațiile dumneavoastră de putere. Alegeți calitatea și performanța cu tranzistorul IGBT 1200V 25A 348W TO247 de la STARPOWER SEMICONDUCTOR!
Detalii ale produsului
35 Produse

Fisa tehnica

Referință DG25X12T2
Producător STARPOWER SEMICONDUCTOR
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 348W
Montare THT
Carcasă TO247
Caracteristici elemente semiconductoare integrated anti-parallel diode
Curent de colector pulsat 75A
Tensiunea poartă - emitor ±20V
Curent de colector 25A
Timp activare 36ns
Tensiune colector-emiţător 1,2kV
Încărcătură poartă 0,19µC
Tip tranzistor IGBT
Timp dezactivare 362ns
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
77 produse asociate: