Categorii
  • Stoc epuizat
IGBT BiMOSFET 2.5kV 25A 300W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • IGBT BiMOSFET 2.5kV 25A 300W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

IGBT BiMOSFET 2.5kV 25A 300W

IXBX25N250
Tranzistor: IGBT; BiMOSFET™; 2,5kV; 25A; 300W; PLUS247™
308,90 lei
Stoc epuizat

Credit module tbi bank 3.4.2

87.41 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul IXBX25N250 este un dispozitiv puternic, proiectat de IXYS, ce combină tehnologia BiMOSFET™ cu caracteristicile de înaltă tensiune ale unui IGBT. Acest tranzistor are o putere disipată de 300W și poate suporta o tensiune de 2.5kV. Cu o montare THT și o carcasă PLUS247™, acest tranzistor este ideal pentru aplicații care necesită o disipare eficientă a căldurii. Cu un curent de colector de 25A și un timp de activare de 694ns, acest tranzistor oferă performanțe remarcabile în aplicațiile sale. Tensiunea poartă - emitor de ±20V și o încărcătură de poartă de 103nC asigură o funcționare stabilă și fiabilă. În plus, timpul de dezactivare de 650ns face ca acest tranzistor să fie potrivit pentru aplicații cu cerințe stricte de control al semnalelor. IXBX25N250 este alegerea perfectă pentru proiectele care necesită un tranzistor puternic și fiabil.
Detalii ale produsului

Fisa tehnica

Referință IXBX25N250
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 300W
Montare THT
Carcasă PLUS247™
Caracteristici elemente semiconductoare de tensiune înaltă
Curent de colector pulsat 180A
Tensiunea poartă - emitor ±20V
Curent de colector 25A
Timp activare 694ns
Tensiune colector-emiţător 2.5kV
Încărcătură poartă 103nC
Tip tranzistor IGBT
Timp dezactivare 650ns
Tehnologie BiMOSFET™
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: