Tranzistor IGBT 1,2kV 46A 543W T-Max

Tranzistorul IGBT PT 1,2kV 46A 543W T-Max, APT35GP120B2DQ2G de la MICROCHIP (MICROSEMI) este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații industriale. Acest tranzistor se remarcă prin tehnologia sa avansată PT, care asigură o funcționare fiabilă și eficientă.

Cu o putere disipată impresionantă de 543W și un curent de colector de 46A, acest tranzistor poate face față cu succes sarcinilor grele. Caracteristicile elementelor semiconductoare, precum dioda anti-paralel integrată, contribuie la protejarea dispozitivului și la îmbunătățirea performanței generale.

Cu o tensiune de lucru de 1.2kV și o tensiune port-emitor de ±30V, acest tranzistor oferă o fiabilitate superioară și o stabilitate excelentă în diverse condiții de funcționare. Timpul de activare rapid de 36ns și timpul de dezactivare de doar 0.22µs fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru aplicațiile cu cerințe ridicate de performanță și viteză.

Montarea acestui tranzistor se realizează prin tehnologia THT, iar carcasa T-Max și subtipul de ambalaj în tub asigură o montare ușoară și o disipare eficientă a căldurii. Cu o încărcătură de poartă de 150nC și un curent de colector pulsat de 140A, acest tranzistor este o soluție de încredere pentru aplicațiile care necesită o funcționare optimă și o durată lungă de viață.