Categorii
  • Nou
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -53A; 125W; D2PAK,TO263
  • Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -53A; 125W; D2PAK,TO263
  • Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -53A; 125W; D2PAK,TO263

Tranzistor P-MOSFET VISHAY SQM100P10-19L_GE3 100V 53A 125W D2PAK

SQM100P10-19L-GE3
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -53A; 125W; D2PAK,TO263
34,88 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere

Tranzistor P-MOSFET VISHAY SQM100P10-19L_GE3 100V 53A 125W D2PAK este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficientă. Fabricat de VISHAY, acest tranzistor P-MOSFET unipolar dispune de o putere disipată de 125W, asigurând o funcționare stabilă chiar și în condiții solicitante.




  • Producător: VISHAY

  • Putere disipată: 125W

  • Montare: SMD

  • Carcasă: D2PAK (TO263)

  • Polarizare: unipolar

  • Curent drenă: -53A

  • Tensiune drenă-sursă: -100V

  • Tensiune poartă-sursă: ±20V

  • Rezistenţă în timpul funcţionării: 19mΩ

  • Subtip canal: îmbogăţit

  • Încărcătură poartă: 0,22µC

  • Tip tranzistor: P-MOSFET



Datorită carcasei D2PAK (TO263) și montării SMD, acest tranzistor este potrivit pentru integrarea în circuite compacte, oferind o disipare termică eficientă. Rezistența scăzută în timpul funcționării și capacitatea mare de curent îl recomandă pentru aplicații de putere, cum ar fi surse de alimentare, convertoare DC-DC și circuite de control motor.

Detalii ale produsului
729 Produse

Fisa tehnica

Referință SQM100P10-19L-GE3
Producător VISHAY
Putere disipată 125W
Montare SMD
Carcasă D2PAK
TO263
Polarizare unipolar
Curent drenă -53A
Tensiune drenă-sursă -100V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 19mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 0,22µC
Tip tranzistor P-MOSFET
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
21 produse asociate: