Categorii
  • NRF52840-DONGLE

Tranzistor P-MOSFET 100V 8.2A 88W TO-263 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor P-MOSFET 100V 8.2A 88W TO-263 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor P-MOSFET 100V 8.2A 88W TO-263

IRF9530SPBF
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8,2A; 88W; D2PAK,TO263
18,57 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul P-MOSFET unipolar -100V -8,2A 88W D2PAK, TO263 de la VISHAY este un produs de înaltă calitate, ideal pentru aplicații electronice exigente. Acest tranzistor oferă o putere disipată de 88W, cu o polarizare unipolară și un curent de drenă de -8,2A. Tensiunea drenă-sursă este de -100V, iar tensiunea poartă-sursă este de ±20V, asigurând performanțe excelente în diverse condiții de funcționare.

Carcasa D2PAK și TO263 asigură o montare ușoară și sigură, în timp ce rezistența în timpul funcționării de 0,3Ω și subtipul canal îmbogățit garantează o funcționare eficientă și fiabilă. Încărcătura poartă de 38nC și tipul tranzistorului P-MOSFET completează caracteristicile de top ale acestui produs inovator.

Indiferent de aplicația dvs., tranzistorul P-MOSFET de la VISHAY este alegerea perfectă pentru proiectele dvs. electronice, oferind performanțe remarcabile și fiabilitate pe termen lung. Optați pentru calitate și eficiență cu acest tranzistor de înaltă calitate!
Detalii ale produsului
1599 Produse

Fisa tehnica

Referință IRF9530SPBF
Producător VISHAY
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 88W
Montare SMD
Carcasă D2PAK
TO263
Polarizare unipolar
Curent drenă -8,2A
Tensiune drenă-sursă -100V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,3Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 38nC
Tip tranzistor P-MOSFET
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
21 produse asociate: