Categorii
Tranzistor P-MOSFET 100V 25A 50W TO263 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor P-MOSFET 100V 25A 50W TO263 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor P-MOSFET 100V 25A 50W TO263

RSJ250P10FRATL
Tranzistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; TO263
18,68 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul P-MOSFET unipolar -100V -25A Idm: -50A 50W TO263 de la ROHM SEMICONDUCTOR este un produs de înaltă calitate, ideal pentru aplicații în domeniul auto. Acest tranzistor vine într-un ambalaj sub formă de rolă sau bandă, ușor de montat SMD. Cu o putere disipată de 50W, acesta oferă o rezistență în timpul funcționării de doar 63mΩ, asigurând o performanță excelentă.

Caracteristicile elementelor semiconductoare includ o poartă protejată ESD, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații sensibile. Cu un curent de drenaj în impuls de -50A și un curent de drenaj de -25A, acest tranzistor poate gestiona sarcini exigente. Tensiunea drenaj-sursă de -100V și tensiunea poartă-sursă de ±20V oferă o gamă largă de utilizare.

Cu o polarizare unipolară și un subtip de canal îmbogățit, acest tranzistor este versatil și eficient. Încărcătura poartă de 60nC și tipul P-MOSFET completează caracteristicile sale impresionante. Alegeți Tranzistorul P-MOSFET de la ROHM SEMICONDUCTOR pentru performanță și fiabilitate de încredere.
Detalii ale produsului
159 Produse

Fisa tehnica

Referință RSJ250P10FRATL
Producător ROHM SEMICONDUCTOR
Subtip ambalaj bandă
rolă
Putere disipată 50W
Utilizare domeniul auto
Montare SMD
Carcasă TO263
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Curent de drenă în impuls -50A
Polarizare unipolar
Curent drenă -25A
Tensiune drenă-sursă -100V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 63mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 60nC
Tip tranzistor P-MOSFET
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
24 produse asociate: